Phison E12控制器前瞻，一個能耗比極佳的高性能SSD控制器

Phison現在已經是SSD控制器市場上一個相當重要的角色，許多SSD都在使用他們的控制器，而且Phison涉足NVMe控制器相當的早，現在也有不少M.2 SSD在使用Phison的E7控制器，隨後的E8控制器在PCI-E頻寬和快閃記憶體通道數上都進行了精簡，是個入門級NVMe控制器，在去年的Flash Memory Summit大會上就發布了的PS5012-E12才是E7的真正繼任者。

然而從控制器發佈到實際SSD的產品上市是得等待一段時間的，去年發佈到現在差不多一年過去了都沒有用它的產品上市，不過應該也差不多是時候了，TheSSDReview現在已經拿到了一個採用Phison E12控制器的樣品，搭配Toshiba BiCS3 64層堆疊3D TLC，容量高達1TB，有1GB的SK DDR4快取，從這個樣品中我們可以窺探未來使用這款控制器的SSD性能到底怎樣。

PS5012-E12是一款8通道快閃記憶體控制器，符合NVMe 1.3規範，走PCI-E 3.0 x4，可用在M.2或者AIC卡上，連續讀寫速度達到了3200MB/s和3000MB/s ，隨機讀寫均高達600K，支援3D MLC /TLC/QLC，支援DDR4和DDR3 L快取，AIC卡的最大容量可達8TB，而M.2 SSD的話最大容量是2TB，支援第二代LDPC糾錯算法、SMART X-Block、Code Sign等。CDM測試這款樣品的連續讀寫速度達到了3467.4/3149.3MB/s，4K QD1的隨機讀寫速度也有46.95/151.8 MB/s，性能還是蠻強的。AS SSD測試它的連續讀寫速度為3023.88/2977.85 MB/s，4K QD1隨機讀寫速度為58.67/148.71 MB/s，4K-64Thrd時IOPS高達503399/285557。

很明顯E12相比上代的E7在性能還是在能耗比上都有明顯的改善，連續讀寫速度達到了3.4/3.1GB/s，較E7有很大的提升，更大的亮點是在功耗上的改善，E12最低功耗僅有84mW，能耗比也是在NVMe控制器中名列前茅的，之前E7的高熱在E12上也不再出現了，正式上市後應該會是一個相當不錯的NVMe控制器。

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