除了拍照、超音波指紋之外，三星Galaxy S10可能首發LPDDR5、UFS 3.0

三星依然是全球智慧手機市場的老大，只是在智慧手機技術上三星這幾代產品都在擠牙膏，Galaxy大改要到明年的Galaxy S10手機上了，之前傳聞它會用上超音波指紋識及全新大底雙攝技術，而在硬體設定上，Galaxy S10也有可能首發LPDDR5記憶體及UFS 3.0快閃記憶體。

明年的Galaxy S10手機除了設計、拍照等方面的改進之外，硬體設定顯然也會再上一個臺階，用上高通驍龍855、三星9820處理器是順理成章的升級，而在記憶體、快閃記憶體上還有可能來個大招，首發LPDDR5記憶體及UFS 3.0快閃記憶體。

OC3D網站爆料表示三星今年夏天就會開始LPDDR5記憶體的生產，並與UFS 3.0快閃記憶體一起提供，這兩種儲存晶片的速度都要高於前代。

在這個問題上，下半年量產UFS 3.0快閃記憶體問題不大，UFS 3.0標準今年初已經發佈，相比現在的UFS 2.0/2.1，UFS 3.0採用的頻寬規範是HS-Gear4（G4），再次達成頻寬翻倍，也就是單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向頻寬的理論最高值就是23.2Gbps，換算後，速度在1.5-3GB/s左右，這速度跟M.2 SSD硬碟有得一拼了。

至於LPDDR5記憶體，這個標準跟DDR5息息相關但又保持一定的獨立，DDR5最終規範還沒發佈，但是DDR5產品已經研發多年了，預計今年底就會有相關產品出現，LPDDR5則是DDR5的低功耗版，明年上市倒也可能。

不論LPDDR5還是UFS 3.0，明年的智慧手機記憶體、快閃記憶體容量及性能再次提升是跑不了的，只希望Galaxy S10別再是4+64GB起步了。

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