Intel和美光大方宣告進軍QLC快閃記憶體(目前64層),從結構原理上講,QLC每單元可以保存4bit數據,相比TLC又多了三分之一,不過PE只有1000次,是TLC的1/3。當然其好處是儲存晶片的容量顯著提升,也就是同容量對比TLC將有著足夠競爭力的價格優勢。在今天的活動中,Intel除了帶來Optane DC Persistent Memory產品,還公佈了QLC SSD的更多進展。Intel透露將在下半年面向消費級推出QLC SSD。從此前的爆料來看,可能會叫660p,採用M.2,走PCIe x2通道,最大容量2TB。
圖為DC P4510
企業級領域Intel的進展就更快了,包括將2.5寸QLC快閃記憶體SSD做到了20TB大小。看起來這應該是15mm厚的U.2 NVMe產品,最終定位在DC P4510以下,後者目前提供8TB U.2的產品。據悉Intel自營的所有3D快閃記憶體生產如今都在中國大連Fab 68工廠完成,位於猶他州的IM(Intel/Micron)Fab2則是全力生產3D Xpoint晶片。
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