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作者: hicookie
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[記憶體 Memory] [XF] SiS (矽統) DDRII 667 512 模組

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1#
hicookie 發表於 2007-5-8 20:13:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在上一篇對 1GB STICK 測試中,我們了解到 SIS 這次使用顆粒的特性

SiS (矽統) DDRII 667 1GB 模組 1.9v DDRII 800 CL4

https://www.xfastest.com/viewthre ... &extra=page%3D1

* 很奇妙的,針對 DDR2-800  CL4 & CL5 所需的電壓是相同的,針對這個顆粒加大壓無用,建議使用 1.9V DDR2-800 4.4.4.12
   想要用 1GB 模組上 450 外頻以上的人,可以直接放棄了。

現在測試的是使用相同顆粒的 512MB DDR2-667 1.8V CL5 模組










2#
 樓主| hicookie 發表於 2007-5-8 20:29:43 | 只看該作者
體質和 1gb stick 是一樣的。
DDR2-800 4.4.4.12 & 5.5.5.15 都要1.90V

BIOS的設定
3#
Albert 發表於 2007-5-8 21:00:32 | 只看該作者
不知到為什麼 看到記憶體顆粒上面印SIS 感覺怪怪的
4#
a1u1usul3 發表於 2007-5-8 21:47:49 | 只看該作者
不跑極限的利器???
5#
glittering 發表於 2007-5-9 01:59:34 | 只看該作者
只能跑DDR2 800 無論如何加壓都上不去 真是怪異的東西...
印象中之前好像看過南亞的DDR2 800也是這樣
完全不給超 800就只能跑800...
6#
 樓主| hicookie 發表於 2007-5-9 05:06:29 | 只看該作者
原帖由 glittering 於 2007-5-9 01:59 發表
只能跑DDR2 800 無論如何加壓都上不去 真是怪異的東西...
印象中之前好像看過南亞的DDR2 800也是這樣
完全不給超 800就只能跑800...


南亞的可以CL4嗎?
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