JEDEC 組織發布 LPDDR2 標準低壓化 1.2V

News 來源︰https://www.cnbeta.com/articles/81032.htm

JEDEC組織上週四發布了JESD209-2 LPDDR2低能耗內存設備標準 。

這項標準將允許非易失型存儲裝置（NVM）與易失型存儲裝置(SDRAM)使用同樣的接口標準
標準並對存儲設備的存儲密度和運行頻率進行了設定。
這項標準的設立不但能使閃存與內存共享同樣的接口標準，
而且還能進一步提高存儲設備的密度，性能，並減小設備的體積和能耗。

為了提高設備的節電性能，JEDEC LPDDR2標準提供了幾種省電標準特性。

LPDDR2設備的輸入/輸出電壓由LPDDR的1.8V降為1.2V,
這樣一來在保證同樣的性能水平條件下，設備的耗電量比過去能降低50%以上。

LPDDR2標準還支持多種不同的設備配置
這使該標準的普適性大大增強，它支持的設備配置包括：

*設備工作頻率可由100MHz--533MHz
*支持x8, x16以及x32多種數據位寬
*支持1.8V/1.2V兩種核心電壓，並具備兩種預取可選項（2bit或4bit）
*支持的存儲密度範圍大（NVM設備支持：64Mb-32Gb，DRAM支持：64Mb-8Gb）

EDEC組織的官員Roger Isaac說。

“LPDDR2標準具備低能耗，高性能，可伸縮性好，NVM與SDRAM可共享接口的優勢
為移動設備產業提供了一種新型的低能耗內存設備
為手持設備運行對性能要求較高的遊戲或高清視頻提供了一種解決方案。

[ 本帖最後由 fsaa3dfx 於 2009-4-7 19:25 編輯 ]

南韓的半導體大廠海力士（Hynix Semiconductor）

這幾天推出號稱也應該是屬實的世界最速手持裝置用 LPDDR2 晶片（low-power double-data-rate 2），並且開始向下游廠商出貨。

這顆 1Gb 大小的 LPDDR2 晶片，採用 66nm 製程，在電壓 1.2V 下最大處理速率可達 800 Mbps。