三星開始限量生產第二代10nmDDR4記憶體，提高生產力和性能

三星電子今天宣布，開始量產業界首款、採用第二代10nm製程（1y-nm）等級的DRAM晶片。需要注意的是，這裡並不是10nm，預計是14~18nm之間。

其中單晶片容量8Gb(1GB)。相較1x-nmm，製程層面上，性能提升10%，功耗和封裝面積減小，效能提升15%。同時頻寬3600Mbps起(可以理解為DDR4-3600)，也比1x-nm時代的DDR-3200進步。1y-nm製程，三星沒有引入EUV，而是通過加入高靈敏度的單元數據感測系統和減少氣隙實現。

與此同時，三星表示也會進一步加快依賴DRAM技術的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形態儲存晶片的開發工作。目前AMD/Intel已經驗證通過1y-nm記憶體。當然對於普通消費者來說，此舉還意味著，1x-nm以及更老的製程的記憶體成本和最終價格將有望下探。

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