HBM3/DDR5記憶體技術參數首次公開：均採用7nm打造

曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5和HBM3的技術參數。

德媒ComputerBase報導稱，Rambus的規劃顯示，HBM3採用7nm製程製造，頻寬高達4GT/s，封裝架構更加複雜。按照單晶片1024bit頻寬，速度就可以實現512GB/s到1TB/s，也就是比HBM2直接翻了兩番。至於DDR5，設計目標I/O頻寬6.4Gbps，總頻寬51.2GB/s，頻率4800~6400MHz，預取位元數16bit，均比DDR4翻番。

其實在今年9月，Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整的DDR5驗證產品，電壓還只有1.1V。然而必須指出的是，至少在整個2018年，HBM3/DDR5的影子都不會見到，最快最快也需要2019年。Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子，那就不得而知了。只希望這種技術出來以後，不要再憑藉專利去到處“咬人”，而且當年Intel因為硬上Rambus RDRAM被結結實實坑了一把。

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