找回密碼註冊
作者: sxs112.tw
查看: 6746
回復: 1

文章分享:

+ MORE精選文章:

+ MORE活動推薦:

SAMSUNG T7 Shield 移動固態硬碟

[*]超快的移動固態硬碟,比傳統外接 HDD 快 9.5 倍 [*]堅固的儲存 ...

GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

卓越性能,超值選擇 GEX PRO 系列通過 80 PLUS 金牌認證,實現高達 ...

體驗極速WiFi 7!MSI Roamii BE Lite Mesh

第一名 guanrung1110 https://www.xfastest.com/thread-293988-1- ...

極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[*]極致效能固態硬碟 [*]PCIe 4.0 速度大幅提升 [*]優化的電源效率 ...

打印 上一主題 下一主題

[業界新聞] 每次半導體製程技術的升級,難度都遠非我們能想像

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2017-11-17 13:27:54 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
隨著閘極越做越小,製程線寬不斷升級,由10年​​前的90nm,65nm一直升級到現在的14/16nm,10nm甚至7nm,摩爾定律都在有條不紊著指揮半導體行業前進的路線。但是隨著源極和汲極之間的距離越來越短,半導體工藝的極限逐漸顯露出來。大多數人都發現了,升級到10nm和7nm所遇到的困難不是捂個被子睡個覺醒來就能解決的,因為除了技術原因還有諸多逐漸浮現出來的不可控因素。
EUV.jpeg

在使用EUV後,線寬的微縮,製程的升級對於缺陷和微粒污染的容忍度將大幅度降低。製造工具是決定圓晶良品率的關鍵,工具在沉積,蝕刻或清潔過程中有可能受到微粒物污染,這些顆粒物會從上一個生產步驟流入到下一個生產步驟,製程不一致使得圓晶的特徵形狀,覆蓋層和CD(特徵尺寸)有偏差,從而導致大範圍缺陷。給定類型的製程工具可能彼此不匹配,繼而在通過不同製程工具生產的圓晶之間產生差異,所有這些問題都會影響產量。

上述的製造過程所造成的差異會成為一個很麻煩的問題,如何理解這個困境?比如有兩台打字機,型號價格外觀都一樣,但因裝配環境,零件精度等因素會導致手感有細微差別,因此即使是相同型號的EUV光刻機,有了正確的配置文件,強度恰好的光源,一致的稀有氣體純度,也需要做一些後期工作保證生產結果相同。換到10、7nm製程的半導體產品上,只要在生產時有個1、2nm的差錯,都有可能造成不可估量的損失。

製程的每一次升級,製造難度都是呈指數級上升,現在我們聽到的製程名詞最多也只能去到3nm,這是因為到了3nm節點上EUV光刻的隨機性將增大,很難控制好EUV線寬邊緣粗糙度(LER),影響CD和EPE。同時摩爾定律也會在這個節點附近失效,接下來就是1nm以下的次納米新技術和新材料的天下。

消息來源

2#
wwchen123 發表於 2017-11-17 15:09:13 | 只看該作者
張董有提到 2nm, 說還有不確定因素.
至於 3nm 他說確定做得出.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-12-26 03:03 , Processed in 0.079765 second(s), 32 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表