Intel 64層快閃記憶體將率先商用10nm：電晶體密度暴增2.7倍

Intel這幾年製程的推進緩慢頗受爭議，而為了證明自己的技術先進性，Intel日前在北京公開展示了10nm製程的CPU處理器、FPGA晶片，並宣稱同樣是10nm，自己要比對手領先一代，還透露了未來7nm、5nm、3nm製程規劃。按照目前的消息，Cannon Lake將是Intel的第一款10nm製程處理器，但在它之前，Falcon Mesa FPGA可編程晶片會更早使用10nm。

不過據最新報導，Intel 10nm的第一站，其實是NAND，而且是64層堆疊的3D快閃記憶體。至於為何在快閃記憶異體上首先使用新製程，很大可能是因為NAND結構相對簡單，基本上就是海量同類電晶體堆積，相比之下CPU處理器就複雜多了，使用新製程風險很大——這也是Intel 14nm、10nm屢屢延遲的一個因素。

目前還不清楚Intel 10nm快閃記憶體的具體情況，但肯定是首先用於數據中心市場，等成本下來了再推到消費級領域。按照Intel的說法，10nm製程使用了FinFET、Hyper Scaling(超縮微)技術，可將電晶體密度提升2.7倍，結果自然可以大大縮小晶片面積，對快閃記憶體來說當然就能極大地提升容量。

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