Intel否認10nm處理器跳票：Q4如期投產

週二的精尖製造日活動，Intel大談特談擁有超微縮FinFET的10nm是如何先進，領先友商3年，然而昨天（週三），Digitimes從筆記型OEM廠商那裡獲悉，Intel突然將Cannon Lake處理器延期到2018年末。

對此Intel中國區總裁楊旭接受采訪時強調，“ Intel 10nm在今年第四季就可以實現投產。”他同時指出，“我們現在已經有技術驗證7nm到5nm都沒有問題。而且我們在通過前瞻研究推進5nm以後的，譬如3nm、1nm，這些當然就需要很多別的新的技術，Intel一直在探索。 ”

不過資料顯示，從物理學的角度，5nm以及之後需要解決絕緣體的問題，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化矽硼(SiBCN)，7nm使用的是氮碳氧化矽(SiOCN)，但用於5nm的終極絕緣體氣隙(air gap)連IBM也沒搞定。當然這只是一方面，EUV的光源功率、III-V材料等也都個個棘手。

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跳票也不會怎樣啊!

反正已經失去耐性了! 誰先提出很省電又堪用的,
我就先買那個.

So, 請慢慢來............Who cares!