WD首發96層3D NAND快閃記憶體：不止有TLC，還有QLC

WD最近忙著跟老朋友Toshiba糾纏NAND業務出售一事，就算留不住他的心，也希望留住他的人，堅決不放棄收購的可能性。另一方面，雙方的鬥爭也沒影響合作，WD今天又點出了新的科技樹——全球首發了96層堆棧的3D NAND，使用了新一代BiCS 4技術，預計下半年開始出樣。值得注意的是，WD的BiCS4快閃記憶體不僅會有TLC類型的，還將支援尚未公開上市的QLC類型。

3D NAND快閃記憶體將在2017年超越2D NAND快閃記憶體成為主流，四大NAND廠商也都量產了32層、48層堆棧的快閃記憶體，64層堆棧的NAND快閃記憶體也有三星、Toshiba、WD、IMFT在下半年量產，SK Hynix的則是72層堆棧。再下一代就要輪到96層堆棧了，不過這次首發的並不是預期中的三星，而是WD。

WD公司今天宣布推出96層堆棧的3D NAND快閃記憶體，相比目前64層堆棧的快閃記憶體使用的BiCS 3技術，96層3D NAND快閃記憶體使用的是BiCS 4技術，預計在2017年下半年出樣給客戶， 2018年開始量產。堆棧的層數越多，3D NAND快閃記憶體容量就越大，成本越低，不過WD目前的96層堆棧快閃記憶體核心容量為256Gb（官方未公佈是MLC還是TLC），尚且不及64層堆棧的512Gb（TLC ）核心容量。

BiCS 4技術最大的意義不只是堆棧層數更多，WD提到96層3D NAND快閃記憶體不僅會有TLC類型的，還會支援QLC，也就是4bit MLC快閃記憶體。早前我們也多次提到了QLC快閃記憶體的優缺點，但是從今年台北電腦展上得到的消息來看，QLC快閃記憶體已經是勢不可擋了，明年就會開始進入市場。

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