隨著半導體製造工藝的提升,電晶體密度提升越來越困難,摩爾定律的存廢也引起了很大的爭議。14nm工藝的延期打亂了Intel的Tick-Tock戰略,後面的產品也不得不跟著變化,首款14工藝產品Broadwell桌上出版曇花一現,10nm工藝處理器Cannonlake延期到了今年下半年,但是現在的情況依然不夠樂觀,10nm工藝繼續難產,Cannonlake處理器很有可能延期到2018年,Intel將推出Kbay Lake Refresh升級版給大家湊合著。
按照Intel最初的Tick-Tock計畫,10nm工藝的處理器早在去年就得量產了,這是Tick升級週期,不過隨著14nm的延期,10nm工藝也得調整,官方此前的說法是2017年下半年發佈Cannonlake處理器。只是計畫趕不上變化,10nm工藝的量產可能還有很多技術問題,良率比之前的14nm工藝還要低,SA網站的查理“大嬸”前幾天發了一篇分析文章,談到了這些問題。
最終的結果是什麼呢?半導體工藝不能按時升級,Intel就不得不調整產品發佈策略。10nm Cannonlake繼續延期唄,今年初則會發佈Kaby Lake桌上出版,兩者之間填補空白的就是Kaby Lake Refresh升級版,類似Broadwell延期之前Intel推出了Haswell Refresh升級版過渡那樣。
Kaby Lake Refresh升級版的消息前幾天就有了,也得到了Intel官方資料的確認,而且會成為8代智慧處理器,這要比Haswell Refresh的地位還要高,畢竟後者的命名只是小改,Kaby Lake Refresh直接得到正室地位。
有關Intel未來幾代處理器的消息實在夠混亂,因為2018年還有個14nm的Coffee Lake處理器,再加上Kaby Lake-X、Skylake-X等平臺,Intel這下不升級工藝了,反倒是把產品線拉的越來越大。
Intel這樣擠牙膏對AMD來說倒是個好事,Intel只要不快速升級到10nm工藝,AMD的14nm Ryzen處理器就能跟Intel 14nm處理器周旋一段時間,撐到GlobalFoundries未來的7nm工藝量產。
最後要說一個長期以來都在談的問題——Intel擁有地球上最強大的半導體工藝,但在10nm甚至以後的7nm、5nm工藝上似乎要落後TSMC和三星了,三星去年10月份就敢宣稱量產10nm,TSMC今年初也會量產10nm工藝,進度比Intel提前半年到一年,未來的7nm甚至號稱領先1-2年。但是,這兩家宣稱的領先只是“嘴炮”,不可否認他們快速縮短了與Intel的差距,但說超越Intel還有點早。
儘管TSMC、三星的半導體工藝線上寬——也就是常說的xx nm中的xx數字上達到或者超過了Intel,但線寬只是衡量半導體工藝的一部分,真正要看的還是電晶體大小,這就要涉及到Gate Pitch柵極間距及Fin Pitch鰭片間距了,日本PCwatch網站之前做過三家半導體工藝的電晶體大小對比,如下圖所示:
三星、TSMC及Intel工藝的電晶體間距
就說14/16nm工藝吧,Intel的電晶體間距是70x52nm,TSMC的16nm是90x64nm,三星14nm LPE是84x64nm(另有78x64nm),顯然Intel的14nm電晶體體積才是最小的,三星、TSMC兩家要比Intel的電晶體大得多,即便是10nm工藝,三星的也有64x48nm,只比Intel的14nm電晶體略好,所以TSMC、三星這兩家所謂的新一代工藝其實要落後於Intel半代水準,超越Intel只是因為市場宣傳而已。
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