東芝半導體與儲存產品公司今(22日)宣布推出領先業界之全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產品,其具備低導通電阻和高速之優良表現,U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇,以滿足製造商各式需求。回應市場期待與需求,系列產品即日起開始出貨。
此MOSFET新品利用東芝低電壓最新世代溝槽結構之U-MOS九代製程以達到領先業界[1]的低導通電阻及高速表現,其全新結構有效降低“RDS(ON) * Qsw[2],藉由降低輸出電荷以改善輸出時所產生之損耗,有助提高產品效率;此外,全新MOSFET利用優化其晶粒結構抑制切換時產出之湧浪電壓及振鈴,有效降低電磁干擾,此產品之創新研發已超越目前東芝現有產品[3]。全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET系列有13個40V與5個45V產品是專為工業及消費性產品應用所設計,包含:高效率直流-直流轉換器、高效率交流-直流轉換器,電源供應器和馬達驅動器。
全新MOSFET產品陣容主要特性與規格 【主要特性】
- 領先業界[1]低導通電阻
RDS(ON)= 0.80 mΩ (max) @VGS= 10V (TPWR8004PL)
RDS(ON)= 0.99 mΩ (max) @VGS= 10V (TPW1R005PL)
- 低輸出電荷
- 高速表現
- 低切換雜訊
- 提供4.5V邏輯準位驅動
【產品陣容與規格】 Part Number | | | Drain-source
On-resistance
RDS(ON) max (mΩ) | Total Gate Charge
Qg typ. (nC) | Output Charge
Qoss typ. (nC) | Gate Switch Charge
Qsw typ. (nC) | Input Capacitance
Ciss typ.(pF) | | Drain-source Voltage
VDSS (V) | Drain Current
(DC) ID (A)
@Tc = 25℃ | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
註: [1] 截至2016年12月9日,東芝調查同等級之產品類別中,本系列新品領先業界。 [2] RDS(ON):汲-源極導通電阻
Qsw: 閘極切換電荷 [3] 東芝產品使用上一代 U-MOS8製程 [4] 全新產品 *本文件中包括產品價格和規格,服務和聯絡訊息,是關於現有公佈日期,視情況更改,恕不另行通知。
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