今天微軟的新款主機Xbox One S正式上市了,此前微軟的宣傳重點一直是精簡的體積:不僅將電源內建於機身,還將體積縮小了40%,支援4K輸出、HDR、看上去似乎是Xbox One絕妙的替代品對吧?事實上相對於2013年打造、採用28nm製程的Xbox One,三年的時光在半導體製程上可是足夠漫長了,Xbox One S也比Xbox One更強。根據Digital Foundry的解剖顯示,更換了TSMC 16FinFET製程在GPU頻率、eSRAM頻寬上都得到了提升,雖然幅度並不大。
首先在處理器架構上,Xbox One S肯定是一脈相承的,所以性能上的提升都來源自頻率。雖然都是美洲豹(Jaguar)八核心架構、12組運算單元(Compute Unit),但是頻率從853MHz提升至914MHz,性能也達到了1.4 TFLOPS,雖然依然落後於PlayStation 4的1.84 TFLOPS。eSRAM頻寬也提升至219GB/s。那麼這些提升可以帶來多少提升呢?答案是7.1%-11%。
此外由於新製程的沿用,Xbox One S的核心面積為240平方毫米,相比Xbox One縮小了33%。此外微軟為Xbox One S設計了鋁合金導熱片、兩條熱導管以及一個120mm風扇,讓Xbox One S保證足夠的低溫,事實上包括Verge在內的很多媒體評測都顯示Xbox One S的運行十分安靜。
總得來說這就是新的Xbox One S:性能有提升,功耗更低,但是你未必能感受到;它支援遊戲中HDR輸出,但是需要遊戲的支援(目前包括《戰爭機器4》和《極限競速:地平線3》)以及開發者的意願;它的尺寸已經比對手PlayStation 4更小巧,但是機能上依然有差距;但是在明年的Xbox Scorpio面世之前,它是最好的微軟主機,你會入手嗎?
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