在半導體製造工藝上,Intel之前是絕大的老大,領先三星、TSMC、GlobalFoundries公司一兩年(Intel自己的說法是領先友商三年半),但是在14nm工藝上,Intel的Tick-Tock鐘擺戰略失效,升級換代週期從2年延長到2.5年了,今年下半年的主力還是14nm工藝的Kabylake,10nm Cannonlake延期到了2017年Q3季度,但是這還不算完,7nm工藝可能還要晚一些,恐怕要等到2020年才能量產了,10nm工藝節點至少會有Cannonlake、Icelake、Tigerlake三代產品。
在半導體工藝上,三星、TSMC這兩家最為活躍,FinFET工藝之前他們比Intel的工藝落後一兩代,但他們現在比Intel高調多了,TSMC昨天還宣稱2018年量產7nm工藝,2020上半年就能量產5nm工藝,三星雖然沒有TSMC這麼“誇張”,不過去年底也製造出了10nm SRAM緩存,7nm也在路上了。
半導體製造工藝非常依賴材料、電子、物理等基礎科學,這都需要長時間的技術積澱,雖然不能完全排除三星、TSMC獲得黑科技的可能性,但小編其實並不怎麼相信三星和TSMC兩家新工藝的進度,幾無可能一兩年內就在工藝研發上面超過Intel公司,而且實驗室生產出新工藝跟大規模量產新工藝並不是一回事。
再回到Intel上來,他們2年升級一次新工藝的計畫已經失效了,由於10nm之後半導體工藝越來越複雜,進度不可避免地要推遲,新工藝處理器升級週期也要拉長,簡單梳理一下就是:
2013年:Haswell架構,22nm 3D電晶體工藝
2014年:Broadwell架構,14nm 3D電晶體工藝
2015年:Broadwell、Skylake架構,14nm 3D電晶體工藝
2016年:Kabylake架構,14nm 3D電晶體工藝
以上是已經確定的了,今年下半年還是14nm工藝,不過架構從skylake升級到kabylake,CPU架構小改,GPU可能會有明顯升級,之前有消息提到會引入GT4級別核顯,eDRAM緩存容量容量翻倍到256MB。
2017年:Cannonlake架構,10nm工藝
2018年:Icelake架構,10nm工藝
2019年:Tigerlake架構,10nm工藝
明年Q3季度發佈首款10nm工藝的Cannonlake架構處理器也是之前確定的了,再往後是Icelake,之前有消息提到Intel在Haswell上引入、Skylake上去除的FIVR模組可能會重新回歸,用在Icelkae處理器上,預計2018年下半年發佈。
如果屆時7nm工藝還不夠成熟,傳聞稱Intel還準備了第三款10nm工藝的處理器Tigerlake,預計會在2019年發佈。
這麼算來,7nm工藝最可能的時間是要等到2020年了,不過現在連產品名稱還沒有呢。
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