14/16nm製程節點上,三星比TSMC更早量產FinFET製程,進度只比Intel落後,這一代的製程競逐賽就這麼定了。在下一代10nm製程上,三星、TSMC與Intel又開始較勁了,Intel比較謹慎,10nm製程的Cannonlake至少要到2017年Q3才能問世,TSMC的10nm製程已經凍結研發,明年初試產,而三星這次更進一步,率先使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM。
三星電子日前宣布他們已經成功使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM,後者通常用於處理器的快取(L1/L2/L3快取等等),速度比DRAM記憶體要快得多,目前Intel、TSMC的SRAM還是14、16nm製程。
三星這麼快就生產出了10nm製程的SRAM說明他們的製程進展很順利。根據三星所說,與14nm相比,其10nm SRAM核心面積縮小了37.5%,如果應用於行動處理器,不僅性能更高,也有助於降低晶片核心面積。至於10nm量產時間,三星預計的時間點在2016年底,跟TSMC的樂觀預計差不多,至少都比Intel的10nm製程進度要快——不過前提是這兩家公司都沒吹牛,而且製程進展一帆風順。
消息來源 |