繼三星之後，SK Hynix也量產20nm記憶體晶片及36層堆棧3D快閃記憶體

在全球儲存晶片市場上，韓國廠商的實力雄厚，不論製程先進程度還是產能都領先日系、美系及台系廠商。SK Hynix日前在財報會議上宣布他們已經開始量產20nm製程的DRAM記憶體晶片，今年還會量產36層堆棧的3D快閃記憶體，明年規模量產48層堆棧的快閃記憶體，不過三星始終是SK Hynix揮之不去的陰影，因為有三星在，他們幾乎只能做到第二。

作為全球記憶體及快閃記憶體晶片中的一哥，三星早在2014年3月份就量產20nm記憶體晶片了，其3D快閃記憶體晶片更是發展了三代了，今年8月份開始量產48層堆棧的V- NAND快閃記憶體了，單核心容量可達256Gb即32GB。與上一代的單核心128Gb容量的產品相比，第三代3D V-NAND不僅容量翻倍，功耗也有30%下降，而且還可以在現有生產線的基礎上進行生產，生產效率提升40% 。有這樣逆天般的大哥存在，SK Hynix只能搶到第二把交椅了，好在這個結果也不算壞，畢竟除了三星之外其他公司的進度比SK Hynix更慢。

來自Businesskorea網站的報導，現在SK Hynix公司也能量產20nm製程的DRAM記憶體晶片了，該公司已經在本月中旬的財報會議上證實了此事，他們還承認在20nm製程量產上遇到了困難，但現在已經克服了，之前已經給客戶出樣了，現在正在量產20nm記憶體晶片。至於3D快閃記憶體，SK Hynix高管表示他們今年會少量生產36層堆棧的快閃記憶體晶片，但是該公司並不打算大規模量產，他們要在明年直接上48層堆棧的3D快閃記憶體晶片。

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