雖然是高通目前的旗艦處理器,不過驍龍810因為發熱問題可謂飽受詬病,而在這種情況之下,高通下一代旗艦處理器驍龍820也更加令人關注。而根據之前的消息,驍龍820將採用三星14nm FinFET製程,來實現功耗發熱和性能之間的平衡。目前三星14nm FinFET製程已經比較成熟,並且已經應用在了Exynos 7420處理器中。
但根據最新的消息,雖然高通一開始計劃使用三星14nm FinFET製程來製造驍龍820,但可能最終還會推出另一個採用10nm FinFET製程的版本。今年年初三星曾宣布10nm FinFET製程的相關參數已經確定,並將於今年年底開始試產,大規模量產則要等到明年年底。而考慮到驍龍820將會在今年年底至明年年初進入大規模生產階段,因此採用10nm FinFET製程並不是沒有可能。
不過值得一提的是14nm FinFET和10nm FinFET的分別使用的是LPE和LPP版本,分別代表Low Power Early和Laser-Produced Plasma。其中LPE為早期版本,功耗和封裝面積都有進步,但相對不成熟,而LPP則是的升級版,性能更加出色。由於三星14nm FinFET製程已經成熟,而10nm FinFET製程還有待進步,因此採用14nm FinFET LPP搭配10nm FinFET LPE的策略也比較合理。
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