HP、Sandisk開發非易失新快閃記憶體：速度快千倍

今年7月份，Intel聯合美光推出了3D XPoint儲存方案，從形式上顆粒可理解為“3D快閃記憶體”。Intel在8月的IDF上上來就介紹了這項新技術，這是一種採用電阻的非易失性記憶體儲存方案，讀取延遲10納秒級別，使用壽命即全碟寫入1000萬次級別，介於傳統DRAM、NAND之間。

令人印象深刻的是，Intel稱採用3D XPoint非易失性存儲方案，比傳統NAND快閃記憶體速度快1000倍、壽命長1000倍、儲存密度高10倍，號稱1989年NAND快閃記憶體推出以來最大的技術創新。考慮到現在DRAM、固態硬碟市場的蓬勃發展，蛋糕可不能僅僅由Intel和美光獨享。

外媒報導稱，HP與SanDisk週四共同宣布，雙方將就聯合推出新記憶體晶片達成合作協議。新技術號稱可比傳統快閃記憶體快1000倍，主要針對市場除了移動設備外，還包括數據中心等企業領域。很明顯，HP與SanDisk的技術合作旨在挑戰英特爾與美光於今年7月共同推出3D Xpoint記憶體技術。HP和SanDisk表示，其新記憶體產品可於未來大規模取代傳統DRAM，以更低價格和更快性能入駐企業數據中心。

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