IBM實現9nm碳納米管技術新突破

IBM研究部門表示，他們已經找到了一種方法來克服碳納米電晶體實施上的關鍵障礙。該公司指出，將碳納米電晶體縮到更小的尺寸，受限於兩個方面：其一是設備溝道的大小、其二是接觸面的大小。IBM表示，製作帶溝道的碳納米管是比較輕鬆的，但難點在於如何連接它們。部署導線是一項重大的挑戰，與傳統方式相比，在這麼小的尺度上，其電阻抗性也會增加。

近距離看碳納米管的樣子。

該公司於今日宣佈了一項創新突破，其涉及到用鉬元素材料來製作納米通道兩端的接觸點，然後直接將這些接觸點連至電晶體線的側面。通過這種方法，電晶體尺度的縮小就不會增加接觸電阻。

IBM研究人員表示，他們已經成功地用這種方法製作出了9nm的電晶體，並且預計該技術可用於1.8nm的節點。

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在一篇博客文章中，研究員Shu-Jen Han概述了碳納米電晶體的下一個挑戰：該公司現有一種用於定位納米管的解決方案，但還必須找到一種方法來消除上面的金屬（不適用於打造電晶體的部分約為33%）。

眼下，Han說他的團隊已經開發出了一種自組裝碳納米管、並在晶圓上面定位它們的方法。他預計未來的挑戰是提升納米管的密度，以便將整個晶圓的制程縮減到10nm甚至更小的間距。

更多內容請翻閱《自然》上的《End-bondedcontacts for carbon nanotube transistors with low, size-independent resistance》一文（DOI: 10.1126/science.aac8006），作者為Qing Cao、Shu-Jen Han、Jerry Tersoff、Aaron D. Franklin、Yu Zhu、Zhen Zhang、George S. Tulevski、Jianshi Tang、以及Wilfried Haensch。

[編譯自：TechReport , 來源：IBM , via]