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作者: wu.hn8401
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[業界新聞] 三星宣佈量產最牛3D快閃記憶體:MLC顆粒好評

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wu.hn8401 發表於 2015-8-11 16:23:15 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
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在3D快閃記憶體領域,三星已經連續推出兩代立體堆疊快閃記憶體,分別有24層、32層,並已用於850 EVO、850 Pro等多款固態硬碟產品。萬萬沒想到的是,全球第一個48層堆疊、單Die容量256Gb的首發被東芝搶了去。不過三星也不是吃素的,今天宣佈正式量產首款可應用於固態硬碟(SSD)中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND快閃記憶體晶片。沒錯,這是第三代了。

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從直觀層面來講,三星比東芝“良心”(忽視售價)表現在MLC顆粒以及量產能力上,畢竟東芝的說法是,我們已經準備好量產了,而三星在繼續使用現有設備的情況下,三代的生產效率還提升了40%!

與容量為128Gb的傳統NAND相比,三星此次量產的新一代256Gb 3D V-NAND快閃記憶體晶片密度實現翻倍增長。除了在單晶片上支援存儲容量高達32GB(256Gb)之外,新的晶片還能輕鬆地翻倍提升現有SSD的存儲容量,輕鬆TB級別,這可是三星的優勢。

據悉,在新一代V-NAND快閃記憶體中,每個單元都採用相同的3D Charge Trap Flash(簡稱CTF)結構設計,每片晶片存儲單元陣列垂直堆疊48層,利用其特殊的蝕刻技術,通過18億個通道孔在陣列上實現電子互連。每個晶片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit,一共能存儲2,560億位元的資料,換句話說,就是一個不超過手指尖大小的晶片能存儲256Gb資料。

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與32層3bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體相比,當存儲相同容量的資料時,一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND快閃記憶體功耗能減少30% 。
當然,消費級我們是見不到了,這都是企業、資料中心用的。
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