GlobalFoundries全球首發22nm FD-SOI製程

GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”製程平台，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣矽)，專為超低功耗晶片打造。FD-SOI技術仍然採用平面型晶體管，目前並不為業內看好，因為無論Intel還是三星、台積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。

儘管如此，GF 22nm FD-SOI也是有一些獨特優勢的，雖然無法製造高性能晶片，但也很適合移動計算、IoT物聯網、射頻聯網、網路基礎架構等領域。GlobalFoundries宣稱，該製程功耗比28nm HKMG降低了70％，晶片面積比28nm Bulk縮小了20％，光刻層比FinFET製程減少接近50％，晶片成本比16/14nm低了20％，而且功耗超低，電壓可以做到業界最低的0.4V，並可通過軟體控制晶體管電壓，還整合了RF射頻，功耗降低最多50％。

甚至，它可以提供類似FinFET製程的性能。GF 22nm FD-SOI將於2016年下半年在德國德累斯頓工廠投產，為此已投資2.5億美元。ARM、Imagination、意法半導體、飛思卡爾、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表達了支持，將會採納。

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