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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] TSMC情何以堪,三星公佈首個10nm FinFET技術

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sxs112.tw 發表於 2015-2-25 22:16:15 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星在14nm FinFET製程上打了個漂亮的翻身仗,在TSMC的16nm FinFET製程遲遲不能量產之時,三星去年底已經量產了14nm FinFET製程,還獲得了蘋果、高通等公司的訂單。不出意外的話,下月初發布的Galaxy S6手機將會配備14nm製程的Exynos 7420處理器。三星不僅在14nm製程上領先了,10nm FinFET製程也不遠了。
10nm.jpg

在本週的ISSCC會議上,三星半導體業務總裁金己男(Kim Ki-nam)在主題報告中展示三星正在開發的10nm製程,這是全球首個針對移動芯片開發的10nm FinFET技術。不過他並沒有提到10nm FinFET製程藝的具體細節,預計該製程會在2016年底到2017年期間問世,進度跟Intel的10nm 3D晶體管製程差不多了。
此外,10nm製程之後還會進入7nm及5nm節點,由於晶體管變得越來越薄,金己男表示7nm之後人們應該會使用新一代的晶體管結構,比如GAA FinFET(gate-all-around,全環柵)技術,這種晶體管會有2-4個等效柵極,它不僅可以使用矽基材料製作,還可以使用InGaAs銦鎵砷材料製造。

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admin 發表於 2015-2-26 08:47:41 | 只看該作者
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joe79127 發表於 2015-2-26 13:25:34 | 只看該作者
TSMC再不加把勁,恐怕之後要被壓著打了>"<
4#
XF-Staff 發表於 2015-2-28 21:17:04 | 只看該作者
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XF-Team 發表於 2015-3-2 18:27:12 | 只看該作者
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