SONY攜手Micron公佈ReRAM最新成果，稱可取代DDR SDRAM

目前業界正在研製一種新型的儲存晶片，就是被命名為ReRAM的電阻式記憶體，這種儲存晶片既擁有DRAM水平的讀寫速度，又可以像NAND快閃記憶體那樣在斷電後也能保存數據，可以說是整合了兩者的優點於一身。現在ReRAM晶片的研製已經初見成效，日前SONY和Micron就聯手公佈了他們的最新研究成果，稱他們試產的產品在性能上已經非常接近理論數據。

SONY和Micron聯手公佈的是一款容量為16Gb（2GB）的ReRAM晶片，據稱這款晶片採用27nm CMOS製程打造，可以用於替換現有的DDR SDRAM晶片，可用於移動設備或者是PC上。按照公佈的信息稱，這顆晶片的實際性能是讀取900MB/s，寫入180MB/s，和它讀取1000MB/s、寫入200MB/s的理論性能已經非常接近，進入量產、商品化的可能性很高。

ReRAM真是不錯的技術，可是要取代DDR SDRAM可能還要一段時日吧！
以目前雙通道DDR3-1600主機板, 128bit x 1600MHz=25,600MB/s, 是
ReRAM讀取速度25.6倍, 寫入速度更差到128倍，除非CPU Cache要做很大很大
來減少不必要的頻繁寫入

初期在嵌入式市場(CPU不求快)應該還不錯!

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