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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 比快閃記憶體快7倍,TDK首次演示MRAM儲存器原型

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1#
sxs112.tw 發表於 2014-10-9 21:51:25 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
對於下一代儲存技術,人們不僅希望它速度更快,延遲更低,還希望它是是非易失性的,斷電之後資料不會不見。在眾多後續標準中,MRAM(磁阻隨機存取儲存器)是最有希望勝出的,具備了上面提及的兩個優點。在日本的高新技術博覽會上,TDK公司首次展示了STT-MRAM技術製造出來的8Mb儲存器,雖然容量很小,不過讀寫性能已經是閃存的7倍多了。
tdk-mram01.jpg

tdk-mram02.jpg

從PCWORLD的報導來看,在展會現場TDK還做了STT MRAM與快閃記憶體的性能對比,左側的是他們研發的STT MRAM平台,右側的是NOR快閃記憶體,MRAM的性能是NOR快閃記憶體的7倍多。

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XF-Team 發表於 2014-10-12 09:21:19 | 只看該作者
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3#
XF-Staff 發表於 2014-10-13 04:59:22 | 只看該作者
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4#
admin 發表於 2014-10-14 05:18:31 | 只看該作者
除了看此篇好聞。更要按時服用XFastest的精選業界動態新聞 https://xfun.cc/eib73
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