比快閃記憶體快7倍，TDK首次演示MRAM儲存器原型

sxs112.tw · 發表於 2014-10-9 21:51:25

對於下一代儲存技術，人們不僅希望它速度更快，延遲更低，還希望它是是非易失性的，斷電之後資料不會不見。在眾多後續標準中，MRAM（磁阻隨機存取儲存器）是最有希望勝出的，具備了上面提及的兩個優點。在日本的高新技術博覽會上，TDK公司首次展示了STT-MRAM技術製造出來的8Mb儲存器，雖然容量很小，不過讀寫性能已經是閃存的7倍多了。

從PCWORLD的報導來看，在展會現場TDK還做了STT MRAM與快閃記憶體的性能對比，左側的是他們研發的STT MRAM平台，右側的是NOR快閃記憶體，MRAM的性能是NOR快閃記憶體的7倍多。

XF-Team · 發表於 2014-10-12 09:21:19

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XF-Staff · 發表於 2014-10-13 04:59:22

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admin · 發表於 2014-10-14 05:18:31

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