明年ARM處理器主頻將達到3Ghz

目前市面上絕大部分平板和智慧手機都採用了ARM晶片，而這種處理器也隨著台積電（TSMC）、格羅方德（GlobalFoundries）等的工藝進步以及人們對性能的追求預計在時鐘頻率方面會達到3Ghz。預計明年，台積電和格羅方德都會開始向市場推3Ghz主頻的晶片，實際面向手機生產商的產品則在高通驍龍系列晶片中得以實施。

目前ARM架構的晶片中，主頻最高的是高通的Krait 400結構，也就是高通驍龍800處理器，達到了2.3Ghz。Krait 400實際上是高通自行設計的晶片結構，部分借鑒了ARM Cortex-A15架構。後者目前在市場上的成品主要有英偉達的Tegra 4和三星Exynos 5。
為將主頻提升至3Ghz，台積電和格羅方德據稱將會採用更先進的工藝，由現在的28nm降至20nm。新工藝不僅能讓晶片性能表現更佳，而且還能帶來更高的效率，每核所耗電量也會控制在合理的範圍內。
這次ARM晶片速度的提升也將説明ARM陣營對戰Intel Atom的Bay Trail處理器。Bay Trail微架構晶片預計將在未來的不少平板上得以施展拳腳，尤其是Windows 8.1可攜式裝置。Intel近兩年在低功耗晶片的研發上也取得了相當不錯的成績，並且性能也表現不凡，ARM需要有所突破勢必得做得更出色。