[情報] Vishay推出超高精度Z箔表面貼裝倒裝晶片分壓器

附圖 : VFCD1505集±0.05 ppm/°C的超低絕對TCR、 0.1 ppm/°C的TCR跟蹤、 0.005%的負載壽命穩定度和5 ppm PCR跟蹤於一體。（來源：廠商）



Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝晶片分壓器。當溫度范圍在0°C至+60°C以及-55°C至+125°C（參考溫度為+25°C）時，該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和±0.2 ppm/°C的超低絕對TCR、在額定功率時 ±5ppm的出色PCR跟蹤（自身散熱產生的RΔ）及±0.005%的負載壽命穩定度。

VFCD1505可為同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供±0.01%的緊密容差匹配（可低至±0.005%）和0.1ppm/°C的TCR跟蹤。對設計人員而言，該一體化架構的電氣特性可改進性能，並實現比分離電阻和配對設計更高的構建利用率。

該種新型分壓器採用Vishay的突破性"Z-箔"技術製成，極大地降低了電阻元器件對環境溫度變化（TCR）和所施加功率變化（PCR）的敏感性。與任何其他電阻技術相比，Z箔技術提升了一個量級的穩定性，使設計人員可保證在固定電阻應用場合的高度準確性。

該新型器件可應用于高精度儀器放大器、橋接網路、差分放大器及電橋電路中的比例臂，以生產具有超高穩定性和可靠性的產品，例如醫療、測試及軍用設備等。有符合EEE-INST-002的器件供應(MIL-PRF 55342)。

VFCD1505可在溫度為70°C時，連續2000個小時保持±0.005%的負載壽命穩定度； 0.1 W的額定功率（按兩個電阻值比例分攤）；小于0.1 PPM/V的低電壓系數；小于-40 dB的電流噪聲；0.05 μV/°C的熱EMF；該器件具有1.0 ns的無振鈴快速附應時間，並且採用無感(<0.08 μH)和無電容設計。

該器件具有最強的靜電放電抗擾能力，可承受超過25kV的靜電放電，這大幅提升了產品的可靠性。在1K至10K的電阻範圍內，透過校準可實現任意容差範圍的值。




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