找回密碼註冊
作者: sxs112.tw
查看: 8265
回復: 0

文章分享:

+ MORE精選文章:

    + MORE活動推薦:

    SAMSUNG T7 Shield 移動固態硬碟

    [*]超快的移動固態硬碟,比傳統外接 HDD 快 9.5 倍 [*]堅固的儲存 ...

    GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

    卓越性能,超值選擇 GEX PRO 系列通過 80 PLUS 金牌認證,實現高達 ...

    體驗極速WiFi 7!MSI Roamii BE Lite Mesh

    第一名 guanrung1110 https://www.xfastest.com/thread-293988-1- ...

    極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

    [*]極致效能固態硬碟 [*]PCIe 4.0 速度大幅提升 [*]優化的電源效率 ...

    打印 上一主題 下一主題

    [記憶體 卡 碟] SK Hynix將為下一代HBM記憶體採用DBI Ultra內部互聯技術

    [複製鏈接]| 回復
    跳轉到指定樓層
    1#
    sxs112.tw 發表於 2020-2-12 11:38:41 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    SK Hynix剛剛與Xperi Corp簽署了一項廣泛的專利與技術授權協議,其中包括了Invensas開發的DBI Ultra 2.5D / 3D互聯技術。作為一項專有的晶片混合互聯技術,DBI Ultra的間距低至1μm,可實現每平方mm2 100 ~1000k的互聯。製造商可將之用於16-Hi晶片製造,下一代記憶體和高度整合的多層SoC有望用上。
    dbi-ultra-2.png

    該公司稱與傳統的銅柱互連技術(每平方mm2 625 個互聯)相比,DBI Ultra 支援更多的互聯數、可提供更大的頻寬。

    dbi-ultra-3.png

    此外DBI Ultra 能夠縮短三維高度,在常規8-Hi 相同的空間裡實現16-Hi 的晶片堆疊,從而帶來更大的儲存密度。

    dbi-ultra-options.png

    與其它下一代互連技術一樣,DBI Ultra支援2.5D和3D整合。此外它允許整合不同尺寸、以及使用不同製程技術生產的半導體。這種靈活性不僅可以造福於下一代大容量高頻寬記憶體解決方案(譬如3DS 和HBM),還適用於各種高度整合的CPU、GPU、ASIC、FPGA 和SoC 等應用。


    DBI Ultra使用的化學黏合劑,可以不增加互連層的支撐高度,且無需銅柱或底部填充。儘管與傳統堆疊製程使用的製程流程有所不同,但DBI Ultra可繼續套用現有的模具、且無需高溫,因此成品率相對較高。當然這麼做肯定需要付出一定的代價,或許這也是Invensas 和SK Hynix 沒有明確透露DBI Ultra 在下一代儲存晶片上的使用成本的一個原因。

    消息來源
    您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

    本版積分規則

    小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

    GMT+8, 2024-12-20 00:40 , Processed in 0.113306 second(s), 34 queries .

    專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

    © 2001-2018

    快速回復 返回頂部 返回列表