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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] SK Hynix將為下一代HBM記憶體採用DBI Ultra內部互聯技術

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sxs112.tw 發表於 2020-2-12 11:38:41 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
SK Hynix剛剛與Xperi Corp簽署了一項廣泛的專利與技術授權協議，其中包括了Invensas開發的DBI Ultra 2.5D / 3D互聯技術。作為一項專有的晶片混合互聯技術，DBI Ultra的間距低至1μm，可實現每平方mm2 100 ~1000k的互聯。製造商可將之用於16-Hi晶片製造，下一代記憶體和高度整合的多層SoC有望用上。
dbi-ultra-2.png

該公司稱與傳統的銅柱互連技術（每平方mm2 625 個互聯）相比，DBI Ultra 支援更多的互聯數、可提供更大的頻寬。

dbi-ultra-3.png

此外DBI Ultra 能夠縮短三維高度，在常規8-Hi 相同的空間裡實現16-Hi 的晶片堆疊，從而帶來更大的儲存密度。

dbi-ultra-options.png

與其它下一代互連技術一樣，DBI Ultra支援2.5D和3D整合。此外它允許整合不同尺寸、以及使用不同製程技術生產的半導體。這種靈活性不僅可以造福於下一代大容量高頻寬記憶體解決方案（譬如3DS 和HBM），還適用於各種高度整合的CPU、GPU、ASIC、FPGA 和SoC 等應用。


DBI Ultra使用的化學黏合劑，可以不增加互連層的支撐高度，且無需銅柱或底部填充。儘管與傳統堆疊製程使用的製程流程有所不同，但DBI Ultra可繼續套用現有的模具、且無需高溫，因此成品率相對較高。當然這麼做肯定需要付出一定的代價，或許這也是Invensas 和SK Hynix 沒有明確透露DBI Ultra 在下一代儲存晶片上的使用成本的一個原因。

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