找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: Jenny
查看: 4768
回復: 0

文章標籤：

文章分享：

+ MORE精選文章：

相關帖子

+ MORE活動推薦：

Micron Crucial PRO D5 6400超頻版 玩家開

解銷更快的遊戲速度！ 利用低延遲遊戲記憶體的強大功能 利用 Cruci ...

O11 VISION COMPACT 玩家開箱體驗分享活動

迷你身形 三面透視打造精緻PC視野新境界O11 VISION COMPACT 強強聯合 ...

2024 三星SD記憶卡 玩家開箱體驗分享活動

2024 PRO Plus SD 記憶卡 [*]為專業人士打造 [*]釋放極限速度 [*]多 ...

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

MSI首款WiFi 7 Mesh系統登場－Roamii BE Lite Mesh System。Roamii ...

打印 上一主題 下一主題

[業界新聞] 三星發表業界首個12層3D-TSV晶片封裝工藝 説明滿足大容量HBM需求

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
Jenny 發表於 2019-10-7 13:42:05 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

台灣時間今天上午，三星電子宣佈他們成功研發了新的12層3D-TSV晶片封裝工藝，這是業界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而之前最大僅為8層。


目前比較多見的，運用到3D-TSV封裝技術的產品就是HBM顯存。TSV技術全稱矽穿孔（Through-silicon via），這種技術是在晶片內部通過打孔填充金屬導電材料的方式來實現多層晶片間的互聯，與傳統的PoP（Package on Package）方式相比，它具有更快的速度和更高的密度。

因此，它對於採用3D堆疊的晶片意義非凡。

而三星在3D-TSV技術領域中一直是處於領先地位的，新的12層DRAM封裝技術需要在整個封裝中開超過60000個TSV孔，每個孔的厚度不超過一根頭髮的二十分之一。


採用新的12層3D-TSV封裝的晶片厚度仍然與現在的8層HBM2產品相同，為720μm。保持相同的厚度使得客戶無需對現有的設計進行修改即可用上新的12層封裝產品，這意味著直接可以使用更大容量的產品。


三星電子TSP（測試與系統封裝）部門的執行副總裁Hong-Joo Baek表示：

隨著例如人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）等各種新時代應用的普及，確保超高性能記憶體所有複雜性的封裝技術正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限，3D-TSV所扮演的角色將越來越關鍵。我們希望站在這一最新晶片封裝技術的最前沿。

而三星將憑藉著這項業界頂尖的封裝技術來滿足市場對於大容量HBM的需求—它正在快速增長。並藉此鞏固三星在高階半導體市場中的領先地位。

資料來源

更多圖片 小圖 大圖
組圖打開中，請稍候......
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-11-7 23:41 , Processed in 0.112705 second(s), 65 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表