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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] 繼三星之後,SK Hynix也量產20nm記憶體晶片及36層堆棧3D快閃記憶體

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sxs112.tw 發表於 2015-10-19 20:42:51 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在全球儲存晶片市場上,韓國廠商的實力雄厚,不論製程先進程度還是產能都領先日系、美系及台系廠商。SK Hynix日前在財報會議上宣布他們已經開始量產20nm製程的DRAM記憶體晶片,今年還會量產36層堆棧的3D快閃記憶體,明年規模量產48層堆棧的快閃記憶體,不過三星始終是SK Hynix揮之不去的陰影,因為有三星在,他們幾乎只能做到第二。
SK Hynix 20 Nano.jpg

作為全球記憶體及快閃記憶體晶片中的一哥,三星早在2014年3月份就量產20nm記憶體晶片了,其3D快閃記憶體晶片更是發展了三代了,今年8月份開始量產48層堆棧的V- NAND快閃記憶體了,單核心容量可達256Gb即32GB。與上一代的單核心128Gb容量的產品相比,第三代3D V-NAND不僅容量翻倍,功耗也有30%下降,而且還可以在現有生產線的基礎上進行生產,生產效率提升40% 。有這樣逆天般的大哥存在,SK Hynix只能搶到第二把交椅了,好在這個結果也不算壞,畢竟除了三星之外其他公司的進度比SK Hynix更慢。

來自Businesskorea網站的報導,現在SK Hynix公司也能量產20nm製程的DRAM記憶體晶片了,該公司已經在本月中旬的財報會議上證實了此事,他們還承認在20nm製程量產上遇到了困難,但現在已經克服了,之前已經給客戶出樣了,現在正在量產20nm記憶體晶片。至於3D快閃記憶體,SK Hynix高管表示他們今年會少量生產36層堆棧的快閃記憶體晶片,但是該公司並不打算大規模量產,他們要在明年直接上48層堆棧的3D快閃記憶體晶片。

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