EVG®580 ComBond®整合先進表面處理製程
確保無氧化接合及提升元件良率
微機電系統 (MEMS)、奈米技術與半導體晶圓接合與微影技術設備領導廠商EV Group今日推出高真空晶圓接合系統EVG®580 ComBond®，可在室溫的環境中進行電性傳導和無氧化共價接合。這款全新的系統採用模組平台設計，可支援各種高量產 (HVM)應用需求，適用於接合不同材質的基板以打造更高效能元件和全新應用，包括：
• 多接面太陽能電池
• 矽基光電應用
• 高真空MEMS封裝
• 功率元件
• 化合物半導體和「超越CMOS」應用的其他高階工程基板，例如高活動量電晶體、高效能/低功耗邏輯和射頻 (RF)元件
目前已有數台EVG580 ComBond系統出貨至元件製造商和研發中心。EVG於奧地利St. Florian企業總部為客戶提供全新系統的實機展示。欲瞭解全新系統更多相關資訊，請造訪相關網站下載產品簡介。
CEA-Leti矽晶片技術部門副總裁Fabrice Geiger表示：「全新的EVG580 ComBond系統在近期的安裝與驗收測試階段中，展現其在室溫環境中所產生的優異共價接合效果。CEA-Leti期待與EVG緊密合作，在我們的Common Lab中建置EVG580 ComBond系統，針對多個重要範疇投入進一步的開發工作。」
EV Group執行技術總監Paul Lindner表示：「EVG580 ComBond系統可控管關鍵的表面預處理製程，確保在室溫的情況下完成無污染和無氧化的接合。藉由這項突破性技術，我們幾乎可以接合任何材料，並可在晶圓中創造不同材料的組合。可支援我們的客戶開發新的元件，並可快速導入量產，因應廣泛的新興與高成長應用的需求，其中包括新一代電信用的矽基光電應用的開發，以及可延長電動車充電後的續航力等更高階功率元件之開發。」
化合物半導體和矽晶片結合之挑戰
在結合不同特性的材料生產電子元件時，例如氮化鎵 (GaN)、砷化鎵 (GaAs) 和磷化銦(InP)等III-V族化合物半導體材料與矽基板之結合，因有更多的載具靈活性可提升元件效能，同時也開啟了各種全新功能，例如經由矽材料做光的發射，可實現光學互連和路由功能。然而，如用傳統晶膜生長製程結合這些材料，會因為晶格常數與熱膨脹係數 (CTE)之間的差異產生晶體錯位的缺陷而削減效能。
晶圓接合的優點
這些生產的問題可以藉由分別在最佳化的生長基板上生長每種不同的半導體材料，然後透過晶圓接合作結合來解決。室溫的共價接合技術特別適用於這種做法，可免除退火製程 (annealing processes)的需求。因為退火製程會產生高溫，且因熱膨脹係數的差異而增加額外應力。然而，室溫共價接合技術的主要限制是無法嚴謹控制接合表面層的厚度和均勻度，這包括需要有效地除去粒子污染物和原有的氧化層，以達到在接合的材料之間形成一個同時有足夠接合強度和電性傳導率的介面。EVG580 ComBond則可解決這些限制所產生的問題。
EVG580 ComBond的主要特色包括：
• 專屬的ComBond活化模組 (CAM)可與系統平台無縫整合，並可藉由將活絡的粒子引導至基板表面而進行先進的表面處理程序，而不需使用濕式化學蝕刻製程，以形成一層既不會污染，也不會氧化的接合表面
• 可在高度真空的製程環境運作，防止處理完的晶圓在進行接合製程前發生再次氧化 (re-oxidation)的現象
• 最多可配置5個模組，並可併行處理以同時支援研發和高量產應用
• 最大可處理至8吋 (200 mm)晶圓
關於EV Group (EVG)
|
收藏
分享
分享
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
顯身卡
