JEDEC討論DRAM標準　非揮發性記憶體成台下主角

bankerju · 發表於 2007-9-8 01:44:58

JEDEC標準組織日前在德國慕尼黑舉行的會議上，討論了有關改善一系列記憶體相關標準的問題；此外為在業界推廣快閃記憶體硬碟的應用，該組織並宣佈成立了新的固態硬碟委員會(Solid State Disk Committee)。

這個在JC-64標準下的新工作小組主席為來自三星(Samsung)的Mian Quddus。「固態硬碟(SSD)已經準備好邁向標準化了。」他表示，目前這個SSD組織已經擁有約60名成員，而SSD的標準化將以外形為重點，標準尺寸將在0.8~2.5吋之間。

SSD的介面、指令協議(command protocols)、電源供應和電源管理等都將是該工作小組關注的議題；而做為SSD主要成分的非揮發記憶體晶片也將進行標準化。未來工作小組除將定義其介面標準與指令協議，也將推出控制器與SSD主機板的參考設計。

JC-64標準的長期發展目標，目前是由來自三星歐洲分公司的Yves Leonhard所負責，包含稱為通用快閃記憶體(Universal Flash Storage，UFS)的介面。該組織總裁、來自美光(Micron)的Jim Cooke表示，UFS介面基本上可以支援任何非揮發性記憶體，包括相變化RAM、 FeRAM或MRAM等。

UFS的其它設計目標還包括實現至少2Gbps的資料傳輸速、低接腳數和低功耗。Cooke表示，整個標準化程序可望在2009年初完成。

實際上，非揮發性記憶體技術儼然是此次JEDEC會議的主要議題──儘管不是公開性的。一位不願透露姓名的與會人員表示：「幾乎99%的與會者都已投入非揮發性記憶體的開發，不過沒人會提起。」

DRAM標準其實才是本次JEDEC會議主題

針對正在改善中的DDR3標準，JEDEC的目標是進一步提高資料傳輸頻寬。JC42.3附屬委員會主席Todd Farell表示，該組織的目標是在2008年讓DDR3-1600實現25.6GB/s的頻寬；目前DDR3-1066的前端匯流排時脈週期支援17GB/s的頻寬。一個代號為JESD79-3A的單獨標準已經獲批准，將於九月份公佈。

此次系列會議的另一個議題是DDR4。JEDEC的Future DRAM任務小組組長Dong-yang Lee表示，該小組的目標是在降低功耗的同時提高性能和密度；未來DDR4的電壓將會從如今DDR3記憶體晶片中所用的1.5V降低到1.2V，而資料傳輸速率則將是DDR3的兩倍。同時，該任務小組的工程師還會努力降低成本。

GDDR5高性能繪圖記憶體標準也是此次會議的重點。與GDDR4相較，GDDR5的資料量是其兩倍，主要應用方向是遊戲機、專業P2P消費電子設備和串流運算(stream computing)。GDDR5任務小組主席、AMD的Joe Macri解釋：「實際上這是個很大的市場；將超級電腦運算(supercomputing)普及化。」

GDDR5晶片將具備一個內部誤差檢測協議(internal error detection protocol)，它和如今記憶體中所用的ECC方案不同。這種晶片的設計功耗將為2W，資料傳輸速率5Gb/s；低功耗特徵使其在更低資料傳輸率下時脈速率更慢，當然功耗也就更低。

Macri表示，第一批GDDR5晶片樣品將於2008年問世，量產也將於2008年開始。

(參考原文：Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting)

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