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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] ASML明年生產10台高NA EUV微影機:Intel獨吞6台

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sxs112.tw 發表於 2023-12-21 20:19:31 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
集邦諮詢的報告顯示ASML將在2024年生產最多10台新一代高NA(數值孔徑) EUV極紫外光刻機,其中Intel就定了多達6台。同時三星星也在積極角逐新光刻機,台積電感覺壓力巨大。
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NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標,直接決定了光刻的實際解析度,以及最高能達到的製程。金屬間距縮小到30nm以下之後,也就是對應的製程超越5nm,低NA光刻機的解析度就不夠了,只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助,不但會大幅增加成本,還會降低良品率。因此更高的NA成為必需。

ASML 9月曾宣布將在今年底發貨第一台高NA EUV光刻機,型號Twinscan EXE:5000,從0.33做到0.55,光刻解析度縮小到8nm,可製造2nm乃至更先進的晶片。ASML並未公佈第一台高NA EUV微影機的客戶,但業界普遍認為正是Intel。

Intel最初就計劃利用新光刻機投產Intel 18A製程,但因為等不及,只能改用現有的0.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。ASML明年量產的高NA EUV微影機,將是改良型的Twinscan EXE:5200,支援大規模量產。未來ASML將把年產量進一步提高到20台左右。
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這種新光刻機的成本和價格並沒有公開,猜測至少3億美元,甚至可能達到或超過4億美元。目前的低NA EUV光刻機需要2億美元左右。

消息來源

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clouse 發表於 2023-12-22 00:00:58 | 只看該作者
強盜國家美帝威脅導致
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