找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 6648
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

極致效能優化 三星990 EVO 玩家體驗分享活

[*]進化日常效能 極致效能優化、電源效率提升、廣泛的通用 ...

FSP VITA GM White 玩家開箱體驗分享活動

中秋佳節，全漢加碼活動來囉~ [*]符合最新 Intel ® ATX 3.1電源設 ...

FV150 RGB 玩家開箱體驗分享活動

粉紅控趕快看過來.......廠商加碼活動來囉~ 心動了嗎? 想取得體驗 ...

海韻創新技術分享會 會後分享--得獎公告

頭獎：dwi0342 https://www.xfastest.com/thread-290899-1-1.html ...

打印 上一主題 下一主題

[儲存裝置] SK hynix推出業界最多層的176層堆疊NAND Flash快閃記憶體

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2020-12-7 20:35:35 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
根據南韓媒體 《ETnews》 的報導，緊追的美商記憶體廠美光科技 (Micron) 之後，南韓記憶體廠SK hynix也在 7 日正式發表176層堆疊的 512 Gb TLC 4D NAND Flash快閃記憶體，也代表著 176層堆疊NAND Flash快閃記憶體時代來臨。
skhynix-1280x720.jpg

報導指出SK hynix說明新的176層堆疊NAND Flash快閃記憶體是採用加速技術，使得數據傳輸速度提高了33%，達到1.6 Gbps。而預計到 2021 年年中SK hynix將推出最大讀取速度提高70%、最大寫入速度提高 35%的行動解決方案產品，並計畫推出針對消市場和企業市場的SSD產品，進而擴大相關產品的應用市場。

由於在不久前的 11 月初，美商Micron已經宣佈開始大量出貨全球首款 176層堆疊的3D NAND Flash 快閃記憶體。所以面對競爭對手的來勢洶洶，報導強調SK hynix還計畫開發以176層堆疊4D NAND Flash的1Tb 密度的快閃記憶體，進一步持續強化其在 NAND Flash快閃記憶體的業務競爭力。

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-9-23 09:35 , Processed in 0.090821 second(s), 34 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表