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[儲存裝置] WD會議：已交付96層3D快閃記憶體產品，2D轉3D過程很繁瑣

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電梯直達

1^#

Jenny 發表於 2017-12-14 14:35:44 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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前兩天WD召開了一個會議，主要討論關於與東芝合作的各項協議細則，而WD在會議上還報告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND快閃記憶體的生產狀況。之前西部資料制定過一個目標，希望今年採用BiCS 3技術生產的64層3D NAND快閃記憶體能占到3D NAND快閃記憶體產量的75%，不過現在這個數字有望能提升到90%以上。

另一組資料顯示，WD的快閃記憶體類型還沒完全從2D NAND轉換成3D NAND，現在3D NAND快閃記憶體只占總產量的65%，換言之WD生產的所有快閃記憶體種還有三分之一是2D NAND快閃記憶體。

另外，在本月12號，WD宣佈採用BiCS4技術的96層3D NAND快閃記憶體已經出貨給零售商，早在6月底時我們已經瞭解到WD的BiCS 4快閃記憶體不僅會有TLC類型，而且會有QLC。

使用BiCS 4技術的TLC快閃記憶體晶片和採用BiCS 3的TLC快閃記憶體晶片沒任何區別，均包含256Gb和512Gb兩種規格，但是採用BiCS 4技術的QLC的存儲晶片還可以有768Gb甚至1Tb這兩種規格。

同時WD在他們的PPT中表示從2D NAND工藝轉向3D NAND工藝過程非常繁瑣，他們也認為這個計畫的執行時間比原定時間延遲了大約6個月，不過從2D快閃記憶體徹底轉向3D快閃記憶體的持續過程不會用太長時間。

在現在2D轉3D的潮流中，有些製造商已經將用於生產2D NAND的設備升級成生產DRAM的設備，而不是升級成生產3D NAND的設備，不知道WD會不會借鑒這種思路。

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