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[記憶體卡碟] 手機吃的虧要靠存儲來補了，三星明年推出15nm DRAM記憶體

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電梯直達

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wu.hn8401 發表於 2016-11-1 13:16:07 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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三星上周發佈了Q3季度財報，移動部門因為Note 7召回事件損失了15%的營業額，運營利潤則直線下滑96%,但受益於存儲晶片的漲價，三星半導體業務部門營收表現不錯，彌補了部分虧損。考慮到NAND快閃記憶體、DRAM記憶體漲價的勢頭還要持續一段時間，三星也加快了記憶體升級步伐，今年初率先量產了18nm DRAM，明年則會推出15-16nm工藝的DRAM，繼續領先對手一代。

DRAM記憶體晶片的工藝“代”數跟我們常見的22nm、14nm、10nm處理器工藝不同，25nm工藝之後是20nm，有的廠商則是21nm，再往下就是18nm，不過目前只有三星量產了18nm工藝，SK Hynix及美光目前還掙扎在20nm節點，18nm工藝要等到明年。

三星今年初率先量產了18nm工藝，但是明年就要推出新一代工藝了。韓國Business Korea網站援引業界消息稱三星明年下半年將量產15-16nm工藝的DRAM記憶體。從這一點上來看，三星去年宣佈的2020年前實現10nm級記憶體工藝的進度可能會提前，2019年就有可能了。

除了繼續領先新工藝，三星的18nm工藝產能也會擴大，到了明年下半年，18nm記憶體將占到30-40%的產能——那個時候，SK Hynix和美光的18nm大概才會量產吧。

在DRAM記憶體領先，雖然目前只剩下了三星、SK Hynix和美光三家廠商，但三星一家獨大的情況並沒有改變，甚至還可能會繼續領先。iHS統計的資料顯示三星在記憶體市場上的份額高達46.6%，不僅產能大，而且技術領先，在20nm、18nm上已經甩開對手一年到一年半時間。

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