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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星宣布量產256GB UFS 2.0快閃記憶體晶片：速度超過SATA SSD

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sxs112.tw 發表於 2016-2-25 21:34:33 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
當前一代的智慧機還沒有強大到可以與計算機相抗衡，不過三星剛剛將一個重要組件加入了清單——該公司已宣布開始量產最新、最快的UFS 2.0嵌入式快閃記憶體晶片，容量高達256GB。對於一部小小的智慧機來說，這麼大的容量似乎有些荒謬，但同時它的順序讀寫速度也較PC上的SATA SSD提升了兩到三倍。
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新快閃記憶體晶片符合“通用快閃記憶體晶片2.0”（UFS 2.0）規範，讀/寫操作的IOPS分別為45k和40k。對於大多數智慧機（甚至旗艦機）上所使用的UFS快閃記憶體晶片來說，新標下的產品速度至少翻了一倍。

據悉，得益於雙鏈路數據傳輸方案，三星UFS 2.0 256GB新快閃記憶體晶片能夠達到850MB/s的順序讀取和260MB/s的順序寫入速度——擁有比SATA SSD更可觀的速度表現。撇開容量不談，在如此高的速度下，未來高階智慧機將能夠執行更加繁重的多媒體回放和創建任務，多路​​2K/4K影片也是不在話下。

好奇的是，三星特別強調了新快閃記憶體比傳統microSD更小、更快、容量更大，此舉或許很大程度上是在暗示OEM廠家們盡快在智慧機上放棄速度拖了後腿的前者。雖然Galaxy S7和S7 edge沒能搭上256GB UFS 2.0量產的順風車，但Galaxy Note 6仍然有望在今年帶給我們新的驚喜。此外，256GB ROM機型或許還會輔以6GB RAM。

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