Intel的7nm工藝恐推至2020年，10nm要戰三代

wu.hn8401 · 發表於 2016-1-21 13:13:28

在半導體製造工藝上，Intel之前是絕大的老大，領先三星、TSMC、GlobalFoundries公司一兩年（Intel自己的說法是領先友商三年半），但是在14nm工藝上，Intel的Tick-Tock鐘擺戰略失效，升級換代週期從2年延長到2.5年了，今年下半年的主力還是14nm工藝的Kabylake，10nm Cannonlake延期到了2017年Q3季度，但是這還不算完，7nm工藝可能還要晚一些，恐怕要等到2020年才能量產了，10nm工藝節點至少會有Cannonlake、Icelake、Tigerlake三代產品。

在半導體工藝上，三星、TSMC這兩家最為活躍，FinFET工藝之前他們比Intel的工藝落後一兩代，但他們現在比Intel高調多了，TSMC昨天還宣稱2018年量產7nm工藝，2020上半年就能量產5nm工藝，三星雖然沒有TSMC這麼“誇張”，不過去年底也製造出了10nm SRAM緩存，7nm也在路上了。

半導體製造工藝非常依賴材料、電子、物理等基礎科學，這都需要長時間的技術積澱，雖然不能完全排除三星、TSMC獲得黑科技的可能性，但小編其實並不怎麼相信三星和TSMC兩家新工藝的進度，幾無可能一兩年內就在工藝研發上面超過Intel公司，而且實驗室生產出新工藝跟大規模量產新工藝並不是一回事。

再回到Intel上來，他們2年升級一次新工藝的計畫已經失效了，由於10nm之後半導體工藝越來越複雜，進度不可避免地要推遲，新工藝處理器升級週期也要拉長，簡單梳理一下就是：
2013年：Haswell架構，22nm 3D電晶體工藝
2014年：Broadwell架構，14nm 3D電晶體工藝
2015年：Broadwell、Skylake架構，14nm 3D電晶體工藝
2016年：Kabylake架構，14nm 3D電晶體工藝
以上是已經確定的了，今年下半年還是14nm工藝，不過架構從skylake升級到kabylake，CPU架構小改，GPU可能會有明顯升級，之前有消息提到會引入GT4級別核顯，eDRAM緩存容量容量翻倍到256MB。
2017年：Cannonlake架構，10nm工藝
2018年：Icelake架構，10nm工藝
2019年：Tigerlake架構，10nm工藝
明年Q3季度發佈首款10nm工藝的Cannonlake架構處理器也是之前確定的了，再往後是Icelake，之前有消息提到Intel在Haswell上引入、Skylake上去除的FIVR模組可能會重新回歸，用在Icelkae處理器上，預計2018年下半年發佈。

如果屆時7nm工藝還不夠成熟，傳聞稱Intel還準備了第三款10nm工藝的處理器Tigerlake，預計會在2019年發佈。

這麼算來，7nm工藝最可能的時間是要等到2020年了，不過現在連產品名稱還沒有呢。

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