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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] 20nm已落伍，三星、SK Hynix、美光明年量產1x nm DRAM記憶體晶片

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sxs112.tw 發表於 2015-12-29 21:44:30 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
來自韓國ETNEWS的報導稱，三星、SK Hynix及美光這三家廠商都在致力於明年量產1x nm製程的DRAM，其中三星的進度最快，他們去年3月份才量產了20nm製程，但現在正在修改製程，已經完成了1x nm製程的的量產驗證工作，明年Q1就要量產新製程DRAM。
20nm.jpg

SK Hynix的進度比三星略慢，2016年他們計劃提升20nm製程DRAM的產能，但2016年上半年也會完成1x nm製程的DRAM開發工作，2016年下半年爭取量產。在這三家中美光這兩年的表現就比較差了，製程進度也比韓國兩家公司落後1-2代，不過美光CEO Mark Durcan也表態稱2016年他們的目標除了提升20nm產能之外，也爭取開始量產1x nm製程的RAM晶片。

原文說的這個1x nm等同於18nm製程，但實際上並沒有這麼簡單，並不是從數字20到18這麼簡單，如果製程只是改變了2個nm，廠商肯定不會這麼大動干戈。在儲存晶片從20+nm進入10+nm製程之後，廠商對製程的描述已經不再使用具體的數字了，20nm之後是1x nm製程，再往後則是1y n​​m製程，還有1z nm製程的說法，至於XYZ具體的含義，由於每家公司的製程並不一樣，所以缺少詳細的解釋。

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