Intel與ST合作研發之相變化記憶體原型問世

bankerju · 發表於 2008-2-23 14:15:17

英特爾(Intel)和意法半導體(ST)共同宣佈，已可開始為客戶提供相變化記憶體(Phase Change Memory，PCM)記憶體的原型樣品。兩家公司表示，這是市場上首次有具PCM功能的原型樣品能提供給客戶進行評估測試，此舉讓相變化記憶體技術向商業化的目標更邁進了一步。

這款代號為“Alverstone”的晶片採用相變化記憶體技術，號稱能以低於傳統快閃記憶體的功耗來提供極高的讀寫速度，並且能實現一般在RAM記憶體才看得到位元可變性(bit alterability)能力。相變記憶體長久以來一直是記憶體技術研發的一個熱門話題，而“Alverstone”記憶體晶片的誕生，意味著這項技術將加速進入商業化的階段。

意法和英特爾的技術人員稍早前在國際固態電路大會(International Solid States Circuit Conference，ISSCC)上，發表了關於相變化記憶體技術其他重大突破的一篇研究論文。兩家公司合作開發並展示了全球第一款採用PCM技術的高密度多層單元(MLC)晶片。

該技術從每單元只能儲存一個位元進展到多層單元的突破，讓此記憶體技術能以更高的密度來降低每Mbyte儲存量的成本，因此多層單元和相變記憶體兩大技術的結合在記憶體技術的發展上是一項重大的進展。

英特爾和意法是在2003年時成立相變化記憶體的合作開發計畫(JDP)。在2004年的超大規模積體電路研討會(VLSI)上，此JDP團隊展示了採用180奈米製程的8Mb記憶體陣列，並在2006年的VLSI研討會上率先發布了採用90奈米製程的128Mb Alverstone相變記憶體晶片。

意法、英特爾以及Francisco Partners已在2007年5月簽訂合資協議，共同成立了一家獨立的半導體公司──Numonyx，“Alverstone”和未來JDP的產品都將移轉給這家新公司。

Numonyx主要的營運方針將提供非揮發性記憶體解決方案，以因應如手機、MP3播放器、數位相機、電腦和其它高科技設備等各種消費性及工業電子產品的應用需求。三家公司預計將於2008年第一季完成此項交易。

根據市場研究公司Web-Feet的報告指出，2007年動態隨機存取記憶體(DRAM)、快閃記憶體(Flash)和電子可抹除可編程唯讀記憶體(EEPROM)等記憶體的市場總值達610億美元。記憶體技術的成本遵循摩爾定律在下降，也就是隨著光微影技術的每一次縮減，記憶體的密度每隔18個月就提升一倍。

不過在今後十年內，RAM和Flash技術將會面臨特徵尺寸縮減的門檻，因此相變化記憶體可望以更快的速度降低成本。相對於今日的技術，多層單元相變化記憶體的問世將會進一步加速相變記憶體技術每位元成本的下降速度。

此外，因相變化記憶體集合DRAM的位元可變性、Flash的非揮發性、NOR的快速讀取特性和NAND的快速寫入特性於一身，能夠滿足整個記憶體市場的各種需求，可望成為今後10年推展市場成長的一個主要動力。

Alverstone是一款採用90奈米製程的128Mb相變記憶體，其設計目的是讓記憶體客戶能評估相變記憶體的性能，也讓手機和嵌入式系統客戶能更了解相變記憶體技術，以及如何將相變記憶體建置在他們未來的系統設計當中。

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