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[記憶體卡碟] 三星搶先TSMC及Intel，已生產10nm製程128Mbit SRAM

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sxs112.tw 發表於 2015-11-19 20:47:49 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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14/16nm製程節點上，三星比TSMC更早量產FinFET製程，進度只比Intel落後，這一代的製程競逐賽就這麼定了。在下一代10nm製程上，三星、TSMC與Intel又開始較勁了，Intel比較謹慎，10nm製程的Cannonlake至少要到2017年Q3才能問世，TSMC的10nm製程已經凍結研發，明年初試產，而三星這次更進一步，率先使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM。

三星電子日前宣布他們已經成功使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM，後者通常用於處理器的快取（L1/L2/L3快取等等），速度比DRAM記憶體要快得多，目前Intel、TSMC的SRAM還是14、16nm製程。

三星這麼快就生產出了10nm製程的SRAM說明他們的製程進展很順利。根據三星所說，與14nm相比，其10nm SRAM核心面積縮小了37.5%，如果應用於行動處理器，不僅性能更高，也有助於降低晶片核心面積。至於10nm量產時間，三星預計的時間點在2016年底，跟TSMC的樂觀預計差不多，至少都比Intel的10nm製程進度要快——不過前提是這兩家公司都沒吹牛，而且製程進展一帆風順。

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