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SONY攜手Micron公佈ReRAM最新成果,稱可取代DDR SDRAM

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發佈時間: 2014-12-26 20:25

正文摘要:

目前業界正在研製一種新型的儲存晶片,就是被命名為ReRAM的電阻式記憶體,這種儲存晶片既擁有DRAM水平的讀寫速度,又可以像NAND快閃記憶體那樣在斷電後也能保存數據,可以說是整合了兩者的優點於一身。現在ReRAM晶片 ...

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alonwcc 發表於 2014-12-27 10:16:21
ReRAM真是不錯的技術,可是要取代DDR SDRAM可能還要一段時日吧!
以目前雙通道DDR3-1600主機板, 128bit x 1600MHz=25,600MB/s, 是
ReRAM讀取速度25.6倍, 寫入速度更差到128倍,除非CPU Cache要做很大很大
來減少不必要的頻繁寫入

初期在嵌入式市場(CPU不求快)應該還不錯!

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