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作者: Martin
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[記憶體 卡 碟] 三星宣布量產第8代236層V-NAND閃存 業界最高位密度,I/O速率達2.4Gbps

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Martin 發表於 2022-11-8 12:33:25 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星宣布,已開始批量生產採用第8代V-NAND技術的產品,為1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,達到了236層,相比第7代V-NAND技術的176層有了大幅度的提高。三星稱,新的閃存芯片提供了迄今為止業界內最高的位密度,可在下一代企業服務器系統中實現更大的存儲空間。

第8代V-NAND閃存基於最新NAND閃存標準的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率達到了2.4 Gbps,比上一代產品提高了1.2倍,這使得新款閃存芯片能夠滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0產品的性能要求。三星表示,第8代V-NAND閃存有望成為存儲配置的基石,不但有助於擴展下一代企業服務器的存儲容量,而且還能擴展到對可靠性要求較高的汽車市場。
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今年5月份,美光宣布推出232層的3D TLC NAND閃存,並準備在2022年末開始生產,計劃用在包括固態硬盤在內的各種產品上。該款芯片採用了CuA架構,使用了NAND的字符串堆疊技術,初始容量同為1Tb。到了8月份,SK海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存,同時已向合作夥伴發送512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品,併計劃在2023年上半年正式投入量產。

目前NAND閃存市場裡,三星的市場份額是最高的,到達了35%。隨著採用第8代V-NAND技術的產品引入,三星在層數上已追上SK海力士和美光,以確保市場上的競爭優勢。

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