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作者: sxs112.tw
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[業界新聞] IMEC公佈未來技術藍圖,半導體10年內進入Å時代

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sxs112.tw 發表於 2021-12-3 17:37:32 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
當前量產的電晶體已經進入4nm尺度,3nm研發也已經凍結進入試產。在11月於日本舉辦的線上ITF大會上,半導體行業大腦IMEC(比利時微電子研究中心)公佈了未來十年的技術藍圖。據悉2025年後電晶體微縮化進入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1nm),時間的規劃是2025年A14(14Å=1.4nm)、2027年為A10(10Å=1nm)、2029年為A7(7Å=0.7nm)。
genomics.jpg

微觀電晶體結構層面,imec試圖在14Å將使用Forksheet結構(p型和n型納米片電晶體成對排列,類似於用餐的叉子),10Å試圖採用CEFT結構,10Å以下計畫採用原子形狀的溝道,依賴Mo(鉬)、W(鎢)、X為硫、Se硒、Te(碲)等2D材料和High NA(高數值孔徑)EUV光刻機來實現。

說到High NA EUV光刻機(0.55NA),一號原型機(EXE:5000)將在2023年由ASML提供給IMEC的聯合實驗室,2026年量產,從而服務1nm及更先進的製程。

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