無懼日本製裁，三星將如期展示3nm GAA製程最新進展

本月4日起日本宣布管制對韓國出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料，此舉使得韓國面板、半導體兩大支柱行業面臨危機，三星等公司更是急於獲得穩定的原料來源，否則旗下的儲存晶片、面板生產都會停產。

對三星來說日本管制的材料中光刻機、氟化氫影響更大，對三星的晶圓代工、儲存晶片生產都有致命影響，之前甚至有傳聞稱三星因為得不到供應而停止研發7nm EUV製程了。

不過三星似乎有意向外界證明在這場危機中他們有能力走出困境，宣布9月4日在日本舉行的“三星晶圓代工論壇”（SFF）將如期舉行，否認了韓媒所說的三星取消日本論壇會議的報導。三星近年來加大了對晶圓代工市場的投入，每年都會舉行多場“三星晶圓代工論壇”（SFF），9月4日的這次會議是日本專場，這次的重點將是三星研發中的3nm GAA環繞柵極製程，這是5nm製程之後又一個重大製程。

採用全新的GAA晶體管結構，三星通過使用奈米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），該技術可以顯著增強電晶體管性能，主要取代FinFET電晶體管技術。此外MBCFET技術還能相容現有的FinFET製程的技術及設備，從而加速製程開發及生產。

目前在3nm上，三星是第一個也是唯一一個公佈具體技術路線的，Intel現在只提到7nm，5nm都遙遙無期，更別說3nm，而台積電雖然要投資250億美元建設3nm晶圓廠，不過尚未公佈過3nm的技術路線，是否上GAA電晶體管也是未知數。

所以在3nm上，三星自信他們會領先，有分析稱三星3nm GAA在技術上領先了台積電1年時間，領先Intel公司2-3年時間，可以說三星要在3nm上全面反超台積電及Intel公司了。按照規劃三星最快在2021年就要量產3nm GAA了，屆時Intel才會進入7nm量產初始，台積電會量產5nm，試產3nm。

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