並非新瓶舊酒：新製程讓Xbox One S性能小幅提升、運行更綠色

今天微軟的新款主機Xbox One S正式上市了，此前微軟的宣傳重點一直是精簡的體積：不僅將電源內建於機身，還將體積縮小了40%，支援4K輸出、HDR、看上去似乎是Xbox One絕妙的替代品對吧？事實上相對於2013年打造、採用28nm製程的Xbox One，三年的時光在半導體製程上可是足夠漫長了，Xbox One S也比Xbox One更強。根據Digital Foundry的解剖顯示，更換了TSMC 16FinFET製程在GPU頻率、eSRAM頻寬上都得到了提升，雖然幅度並不大。

首先在處理器架構上，Xbox One S肯定是一脈相承的，所以性能上的提升都來源自頻率。雖然都是美洲豹（Jaguar）八核心架構、12組運算單元（Compute Unit），但是頻率從853MHz提升至914MHz，性能也達到了1.4 TFLOPS，雖然依然落後於PlayStation 4的1.84 TFLOPS。eSRAM頻寬也提升至219GB/s。那麼這些提升可以帶來多少提升呢？答案是7.1%-11%。

此外由於新製程的沿用，Xbox One S的核心面積為240平方毫米，相比Xbox One縮小了33%。此外微軟為Xbox One S設計了鋁合金導熱片、兩條熱導管以及一個120mm風扇，讓Xbox One S保證足夠的低溫，事實上包括Verge在內的很多媒體評測都顯示Xbox One S的運行十分安靜。

總得來說這就是新的Xbox One S：性能有提升，功耗更低，但是你未必能感受到；它支援遊戲中HDR輸出，但是需要遊戲的支援（目前包括《戰爭機器4》和《極限競速：地平線3》）以及開發者的意願；它的尺寸已經比對手PlayStation 4更小巧，但是機能上依然有差距；但是在明年的Xbox Scorpio面世之前，它是最好的微軟主機，你會入手嗎？

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