三星宣佈量產最牛3D快閃記憶體：MLC顆粒好評

在3D快閃記憶體領域，三星已經連續推出兩代立體堆疊快閃記憶體，分別有24層、32層，並已用於850 EVO、850 Pro等多款固態硬碟產品。萬萬沒想到的是，全球第一個48層堆疊、單Die容量256Gb的首發被東芝搶了去。不過三星也不是吃素的，今天宣佈正式量產首款可應用於固態硬碟（SSD）中的48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND快閃記憶體晶片。沒錯，這是第三代了。

從直觀層面來講，三星比東芝“良心”（忽視售價）表現在MLC顆粒以及量產能力上，畢竟東芝的說法是，我們已經準備好量產了，而三星在繼續使用現有設備的情況下，三代的生產效率還提升了40%！

與容量為128Gb的傳統NAND相比，三星此次量產的新一代256Gb 3D V-NAND快閃記憶體晶片密度實現翻倍增長。除了在單晶片上支援存儲容量高達32GB（256Gb）之外，新的晶片還能輕鬆地翻倍提升現有SSD的存儲容量，輕鬆TB級別，這可是三星的優勢。

據悉，在新一代V-NAND快閃記憶體中，每個單元都採用相同的3D Charge Trap Flash（簡稱CTF）結構設計，每片晶片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術，通過18億個通道孔在陣列上實現電子互連。每個晶片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位元的資料，換句話說，就是一個不超過手指尖大小的晶片能存儲256Gb資料。

與32層3bit MLC 128Gb V-NAND快閃記憶體相比，當存儲相同容量的資料時，一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND快閃記憶體功耗能減少30% 。
當然，消費級我們是見不到了，這都是企業、資料中心用的。