蘋果棄TLC讓iPhone改用QLC快閃記憶體 壽命、效能更低
據外媒報導指稱，蘋果可能會於2026年的iPhone配置更大儲存容量：2TB。產業鏈最新透露的情況是，蘋果正在加速推動QLC NAND換代，從而將內建儲存上限提高至2TB。
至於為何使用QLC？可能是與控制成本有關。
於此之前即有消息指稱，蘋果可能會改變儲存容量（iPhone 16上啟用），不再使用三層單元（TLC）NAND快閃記憶體，而是於儲存容量達到或超過1TB的機種上使用四層單元（QLC）NAND。
與TLC相比，QLC的優勢在於每個儲存單元可以儲存四個位元資料，於使用相同數量的單元時較TLC儲存更多的資料，或使用更少的單元儲存更多的資料，而此可以降低生產成本。
但相對的，QLC需要控制16種電壓狀態，TLC僅需控制8種電壓狀態，電壓狀態越多，越難控制。QLC提高儲存密度的代價，則是讀寫機制更為複雜與緩慢，於可靠性、壽命、效能等方面，先天上即存在侷限。
如果蘋果繼續執行前述計劃，一些版本的iPhone 16使用者可能會遇到資料寫入速度低於低容量使用者的情況。
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