三星電子將於2025年推出下一代HBM4記憶體
三星電子宣布計劃在2025年大規模生產HBM4記憶體，試圖實現製造服務多元化，以滿足產業需求。三星電子DRAM產品與技術團隊負責人Sang Joon Hwang在三星新聞編輯室的一篇部落格文章中透露了這一進展，聲稱該公司計劃提升其記憶體部門的實力。以下是該高層透露的三星過去在HBM領域的發展：
三星量產了HBM2E和HBM3，並開發了9.8Gbps HBM3E，我們很快就會開始向客戶提供樣品，以豐富HPC/AI生態系統。
展望未來，HBM4預計將於2025年推出，其技術針對正在開發的高熱性能進行了優化，例如非導電薄膜 (NCF) 組裝和混合銅接合 (HCB)。
透過三星半導體
貼文中提供的資訊顯示，三星已經對其HBM3記憶體製程引起了潛在客戶的興趣，其中NVIDIA等公司處於領先地位。隨著生成式人工智慧開發的湧入，對相關硬體的要求達到了新的高度，因此對HBM3等必要零件的需求迅速增加。NVIDIA正在嘗試實現供應鏈多元化，此時三星電子就派上用場了，因為該公司擁有足夠的設施來滿足AI加速器的DRAM需求。
除了目前的進展之外，三星還計劃在下一代HBM4方面取得快速進展，預計將於2025年首次亮相。雖然有關記憶體類型的具體細節很少，但三星透露HBM4將採用非導電薄膜以及混合銅鍵合，這將有助於提高預存程式的功率效率和散熱。HBM4確實將標誌著向下一代人工智慧加速器的過渡，為產業的運算能力打開新的大門。
三星正在成為一家獨特的供應商，特別是因為該公司也專注於開發晶片封裝設施。鑑於該公司成功贏得了潛在客戶的信任，我們有可能在未來幾年看到這家韓國龍頭的記憶體部門的復興。
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