[情報] Ramtron推出首款200萬位元串列F-RAM記憶體

Ramtron成功開發業界首款200萬位元（Mb）、採用8腳TDFN（5.0×6.0mm）封裝的串列F-RAM記憶體。FM25H20以130奈米CMOS製程生產，是一款高密度的非揮發性F-RAM記憶體，它以低功耗操作，並且具有高速串列周邊介面（SPI）。這款3V、2Mb串列F-RAM元件可以最大的匯流排速度寫入，具有幾乎沒有限制的耐用性，更大的資料收集能力，及採用微型封裝，這些使得系統設計人員能夠在計量和印表機等高級應用中減少成本和板卡空間。

FM25H20是低功耗和最小板卡空間精密電子系統中串列快閃記憶體的理想替代產品。這些應用包括可攜式醫療設備如助聽器等，實際上，它們是微型資料處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與快閃記憶體相比，F-RAM的優勢包括可以大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比快閃記憶體高出更多。

Ramtron策略市場拓展經理Duncan Bennett表示：「對於那些需要在其新一代應用中提高資料收集能力，卻不想增加板卡空間的計量和印表機客戶而言，這款2Mb串列F-RAM是自然的產品延伸。FM25H20在占位面積一樣小的情況下，為50萬位元串列F-RAM客戶提供高達四倍的儲存能力。除提升現有系統外，這種技術的發展還推動F-RAM得以進入多個需要低功耗記憶體而空間嚴重受限的新興市場，如可攜式醫療設備等。」

FM25H20是一款採256K×8位元安排的非揮發性記憶體，以高達40MHz的匯流排速度進行讀寫操作，具有幾乎沒有限制的耐用性、10年的資料保存能力，以及低工作電流。該元件具有工業標準的SPI介面，優化了F-RAM的高速寫入能力。FM25H20還具有軟體和硬體防寫入功能，能避免意外的寫入與資料損壞。

這款2Mb串列F-RAM以低功耗工作，在40MHz下讀/寫操作的耗電低於10mA，待機狀態下耗電為80µA（典型值），超低電流睡眠模式下耗電為3µA（典型值）。FM25H20與同效的串列快閃記憶體元件接腳相容，並且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性，比快閃記憶體更有優勢。該元件在整個工業溫度範圍內（-40℃至+85℃）、在2.7至3.6V電壓下工作。

FM25H20以德州儀器已被驗證過的130奈米CMOS製程為基礎。在標準CMOS 130 nm邏輯製程內嵌入非揮發性F-RAM模組，僅使用了兩個額外的光罩步驟。


連結
https://www.hope.com.tw/News/ShowProduct.asp?O=200804211732057682